高超聲速飛行器對具有更長壽命、耐更高溫度的C/SiC復(fù)合材料提出了需求。為了適應(yīng)這些需求，可以對C/SiC基體進(jìn)行改性。目前，國內(nèi)外都在積極探索各種基體改性的方法[1]。通常在基體中引入含硼物質(zhì)(如:B，B4C，SiB6，Si-B-C等)進(jìn)行自愈合改性延長其使用壽命[2，3]，引入難熔金屬碳化物或硼化物提高其使用溫度[4～7]。王其坤等[8]用先驅(qū)體浸漬熱解(PIP)法在碳布上涂刷含ZrB2的漿料，模壓后反復(fù)PIP致密化制備2DC/SiC-ZrB2復(fù)合材料，提高了C/SiC復(fù)合材料的抗燒蝕性能。但制備材料時(shí)，由于ZrB2熱膨脹系數(shù)較大，僅用PIP工藝對纖維損傷較大[9，10]。在化學(xué)氣相沉積制備C/SiC過程中引入ZrB2，是否也能提高其使用溫度是需要研究的課題。本研究利用漿料浸漬法在多孔2DC/SiC引入ZrB2微粉后，采用液態(tài)聚碳硅烷浸漬-裂解，再結(jié)合化學(xué)氣相滲透(chemicalvaporinfiltration，CVI)法進(jìn)一步致密化，制備2DC/SiC-ZrB2復(fù)合材料，研究其在氧-乙炔焰和1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境中的燒蝕行為。

1實(shí)驗(yàn)

1.12DC/SiC-ZrB2復(fù)合材料的制備以T300碳布(絲束為1K)為原料，經(jīng)疊層后，用CVI法制備0.2μm左右的碳界面層，在1000℃下，采用CVISiC制得孔隙率為18%～23%多孔C/SiC，加工成尺寸為100mm×3mm和3mm×10mm×20mm兩種試樣，浸漬20vol%的ZrB2漿料后，用液態(tài)聚碳硅烷(廈門大學(xué)合成)重復(fù)5次浸漬-裂解(900℃)-熱處理(1400℃)，CVISiC80h，制得2DC/SiC-ZrB2復(fù)合材料，具體過程參見文獻(xiàn)[11]。制得復(fù)合材料的開氣孔率為7.5%，彎曲強(qiáng)度為423MPa。

1.2氧-乙炔環(huán)境燒蝕實(shí)驗(yàn)氧-乙炔燒蝕實(shí)驗(yàn)按國軍標(biāo)GJB323A—1996要求進(jìn)行:氧氣壓力為0.4MPa，流量為1.512m3/h，乙炔壓力為0.095MPa，流量為1.116m3/h，噴嘴直徑為2mm，槍口到試樣燒蝕表面中心的距離為10mm，熱流密度(4186.8±418.68)kW/m2。燒蝕時(shí)間20s。試樣冷卻后，測量試樣的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率。為取得統(tǒng)計(jì)平均值，每個(gè)實(shí)驗(yàn)點(diǎn)均用5個(gè)燒蝕試樣。

1.3甲烷風(fēng)洞環(huán)境燒蝕實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)中采用氧氣壓力為1.09MPa，流量為4.12g/s，甲烷壓力為1.80MPa，流量為0.8g/s，噴嘴直徑為40mm，槍口到試樣燒蝕表面中心的距離為50mm，火焰溫度為1800℃，燒蝕時(shí)間為30min。試樣冷卻后，測量試樣的質(zhì)量燒蝕率。1.4測試與表征采用阿基米德排水法測量復(fù)合材料的開氣孔率。采用日本理學(xué)RigakuD/max-2400多晶X射線衍射儀進(jìn)行物相分析，測試采用CuKα輻射，掃描速率為4°/min，步長為0.02°，掃描角度為15～75°。采用S4700型掃描電子顯微鏡分析材料的顯微結(jié)構(gòu)。

2結(jié)果與討論

2.1在氧-乙炔環(huán)境的燒蝕行為

2.1.1燒蝕性能2DC/SiC-ZrB2在氧-乙炔焰中燒蝕20s后的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為6.1×10-2mm/s和1.0×10-2g/s，而僅采用CVI法制備致密C/SiC的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為2.3×10-2mm/s和9.1×10-3g/s[12]。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，用ZrB2微粉對2DC/SiC基體進(jìn)行改性并不能有效改善復(fù)合材料在氧-乙炔焰中的燒蝕性能。王其坤等制備的2DC/SiC-ZrB2在氧-乙炔焰中燒蝕30s后的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為1.5×10-2mm/s和5×10-3g/s[8]，表明其有更好的燒蝕性能，可能有兩方面的原因:一是采用涂刷法在試樣表層引入了更多的ZrB2;二是在氧-乙炔焰中氣流波動(dòng)較大，燒蝕時(shí)間不同，溫度產(chǎn)生了波動(dòng)。

2.1.2燒蝕機(jī)理圖1為2DC/SiC-ZrB2在氧-乙炔焰燒蝕20s后的表面形貌。從圖1可以看出，其形貌可分成三個(gè)區(qū)域:燒蝕中心區(qū)、燒蝕中心與邊緣過渡區(qū)、燒蝕邊緣區(qū)，每個(gè)區(qū)域形貌不同。以下分別進(jìn)行討論。(1)燒蝕中心區(qū)在這區(qū)域主要以熱物理燒蝕和機(jī)械沖刷為主。在火焰最中心處存在一個(gè)明顯的層狀燒蝕坑，在纖維束間存在液滴狀物質(zhì)(圖1b)，同時(shí)，纖維表面也存在大量小球狀物質(zhì)(圖1d)。能譜分析表明，液滴狀物質(zhì)主要由Zr，Si，O三種元素組成。從ZrB2氧化反應(yīng)機(jī)理可知，其化學(xué)反應(yīng)式為:2其中ZrB2轉(zhuǎn)自:http://www.21ks.net熔點(diǎn)為3200℃，ZrO2熔點(diǎn)為2700℃，而B2O3熔點(diǎn)為450℃，且具有較高的蒸氣壓，在高溫時(shí)容易揮發(fā)[13]。在火焰中心，材料表面最高溫度約3000℃，導(dǎo)致ZrB2氧化后在試樣表面殘存的產(chǎn)物主要為ZrO2。對于SiC基體，其熔點(diǎn)為2380℃，升華溫度為2700℃。盡管SiC處于升華狀態(tài)，但在液態(tài)ZrO2的保護(hù)下，部分SiC氧化成SiO2。結(jié)合試樣燒蝕后表面XRD分析(圖2)可知，試樣表面主要物相有ZrO2，SiC，ZrB2和C，可以推測液滴狀物質(zhì)主要為ZrO2和SiO2混合物。結(jié)構(gòu)縫隙理論和實(shí)驗(yàn)研究表明[14]，在結(jié)構(gòu)縫隙的內(nèi)部，其熱流要遠(yuǎn)低于外部的熱流，導(dǎo)致液態(tài)ZrO2-SiO2并沒有完全被沖刷。纖維表面存在大量的小液滴表明，液態(tài)ZrO2-SiO2纖維的潤濕差，冷卻后收縮成液滴狀。ZrB2氧化生成的B2O3具有較大的蒸氣壓，它會向外逸出;三是從ZrO2-SiO2二元相圖[15]可知，盡管氧化生成的ZrO2-SiO2混合物中，ZrO2含量越高，熔點(diǎn)越高，但液態(tài)ZrO2-SiO2與C潤濕性差，易被燃?xì)饬鞔底?。另外，這種白色物質(zhì)與試樣的結(jié)合力差，容易產(chǎn)生剝落(圖1a右下角)。ZrO2在不同的溫度下具有三種同質(zhì)異形體，即單斜相(m-ZrO2)、四方相(t-ZrO2)和立方相(c-ZrO2)，密度分別為5.65g/cm3，6.10g/cm3和6.27g/cm3。在不同溫度下出現(xiàn)晶型轉(zhuǎn)變:ZrO2冷卻過程中體積膨脹[16]，且ZrO2與C纖維及SiC基體存在熱膨脹系數(shù)失配，導(dǎo)致燒蝕后表面白色物質(zhì)容易剝落。從以上分析可知，SiC-ZrB2基體不致密，在燒蝕過程中對碳纖維無法形成有效保護(hù)，是導(dǎo)致2DC/SiC-ZrB2燒蝕性能比C/SiC差的主要原因。(2)燒蝕中心與邊緣過渡區(qū)與燒蝕中心區(qū)相比材料表面溫度和受沖刷程度有所降低，材料的燒蝕機(jī)制也由燒蝕中心的升華燒蝕轉(zhuǎn)變?yōu)橐詿嵫趸蜎_刷燒蝕為主。在靠近火焰中心一側(cè)存在較多液滴狀物質(zhì)(圖1f)。(3)燒蝕邊緣區(qū)試樣的溫度和壓力最低，導(dǎo)致燒蝕程度最低。從圖1e左上角中可以看出，由于試樣表層沉積了SiC涂層，在此區(qū)域內(nèi)幾乎沒有發(fā)生燒蝕現(xiàn)象，只附著了少量從試樣中心沖刷出的氧化物。

2.2在甲烷風(fēng)洞環(huán)境的燒蝕行為

2.2.1燒蝕性能表1為C/SiC-ZrB2和沉積不同時(shí)間的C/SiC復(fù)合材料在1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境中燒蝕30min后的質(zhì)量燒蝕率。其中C/SiC-I，C/SiC-II分別為多孔C/SiC再CVISiC致密化兩次和三次(每次CVI時(shí)間為80h)制備的C/SiC復(fù)合材料。從表1可以看出，C/SiC-ZrB2的質(zhì)量燒蝕率最高，而C/SiC-II的質(zhì)量燒蝕率最低。對于C/SiC復(fù)合材料，孔隙率越大，質(zhì)量燒蝕率也越大。

2.2.2燒蝕機(jī)理在1800℃甲烷風(fēng)洞中燒蝕30min后，各試樣表面涂層具有相似的形貌。圖3為C/SiC-ZrB2在1800℃燒蝕30min后的形貌。從圖3可以看出，燒蝕對涂層影響不大，但存在液態(tài)物質(zhì)及細(xì)小的孔洞。從XRD分析結(jié)果可知(圖4)，氧化產(chǎn)物為晶態(tài)SiO2。從試樣斷面形貌可見，部分纖維被氧化。雖然SiC生成液態(tài)SiO2產(chǎn)生增重，但液態(tài)SiO2轉(zhuǎn)變成氣態(tài)物質(zhì)以及少量碳纖維氧化產(chǎn)生失重，導(dǎo)致C/SiC-II質(zhì)量燒蝕率很小。對于C/SiC-ZrB2復(fù)合材料，試樣內(nèi)部的ZrB2基本不產(chǎn)生氧化[21，22]。涂層的缺陷使復(fù)合材料的開氣隙率成為試樣內(nèi)部碳相氧化的控制因素，開氣孔率越大，碳相越容易被氧化，試樣質(zhì)量燒蝕率也就越大。為了進(jìn)一步了解涂層缺陷和孔隙率對質(zhì)量燒蝕率的影響，將多孔C/SiC滲入ZrB2漿料后直接CVISiC致密化二次(每次CVI時(shí)間為80h)，其沉積主要在試樣表層，制得復(fù)合材料的孔隙率為16.2%，其質(zhì)量燒蝕率為3.78×10-5g/min，僅比C/SiC-I的質(zhì)量燒蝕率略大。微觀結(jié)構(gòu)表明，各種涂層表層單位面積上裂紋長度、寬度基本相同，增加沉積次數(shù)，涂層厚度(層數(shù))增加，在燒蝕過程中增加了燒蝕氣氛的擴(kuò)展路徑。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在1800℃甲烷風(fēng)洞燒蝕環(huán)境中，表面涂層的致密度對復(fù)合材料的質(zhì)量燒蝕率起著主要作用，涂層致密度基本相同時(shí)，復(fù)合材料開氣孔隙率越大，質(zhì)量燒蝕率也越大。

3結(jié)論

(1)用ZrB2微粉，采用化學(xué)氣相滲透結(jié)合漿料浸漬及先驅(qū)體浸漬裂解工藝對2DC/SiC基體進(jìn)行改性，不能有效提高C/SiC復(fù)合材料在氧-乙炔焰及1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境中的抗燒蝕性能。(2)在氧-乙炔焰中，2DC/SiC-ZrB2復(fù)合材料燒蝕后，纖維束間基體呈多孔狀，氧化生成的液態(tài)ZrO2-SiO2與纖維的潤濕性差。(3)在1800℃甲烷風(fēng)洞中，表面涂層的致密度對質(zhì)量燒蝕率起主要作用，涂層致密度相同時(shí)，復(fù)合材料的開氣孔率越大，質(zhì)量燒蝕率越大。